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吉林气体厂介绍常见的混合气体

发布时间:2017-10-13 作者:未知  来源:未知
    1、吉林气体厂介绍外延生长混合气体
    外延生长是一种单晶材料淀积并生产在衬底表面上的过程,在半导体工业中,在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法,生长一层或多层材料所用的气体叫作外延气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀积,多晶硅淀积,氧化硅膜淀积,氮化硅膜淀积,太阳能电池和其他光感器的非晶硅膜淀积等。

    2、吉林气体厂介绍蚀刻混合气体
    蚀刻就是将基片上无光刻胶掩蔽的加工表面(如金属膜、氧化硅膜等)蚀刻掉,而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来,以便在基片表面上获得所需要的成像图形。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。
    干法化学蚀刻所用气体称为蚀刻气体。蚀刻气体通常多为氟化物气体(卤化物类),例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。
 
    3、吉林气体厂介绍掺杂混合气体   
    在半导体器件和集成电路制造中,将某些杂质掺入半导体材料内,使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率,以制造电阻、PN 结、埋层等。掺杂工艺所用的气体称为掺杂气。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气)在源柜中混合,混合后气流连续注入扩散炉内并环绕晶片四周,在晶片表面沉积上掺杂剂,进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。

    4、吉林气体厂介绍化学气相淀积混合气体
    化学气相淀积混合气体(CVD)是利用挥发性化合物,通过气相化学反应淀积某种单质或化合物的一种方法,即应用气相化学反应的一种成膜方法。依据成膜种类,使用的化学气相淀积(CVD)气体也不相同。

    5、吉林气体厂介绍离子注入气体
    在半导体器件和集成电路制造中,离子注入工艺所用的气体统称为离子注入气,它是把离子化的杂质(如硼、磷、砷等离子)加速到高能级状态,然后注入到预定的衬底上。离子注入技术在控制阀值电压方面应用得为广泛。注入的杂质量可以通过测量离子束电流而求得。离子注入气体通常指磷系、砷系和硼系气体。


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